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Samsung Semiconductor - K4B2G0846F-BYMA

KEY Part #: K7359655

[22178pcs Stock]

    Numero de parte:
    K4B2G0846F-BYMA
    Fabricante:
    Samsung Semiconductor
    Descripción detallada:
    2 Gb 256M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
    Plazo de entrega estándar del fabricante:
    En stock
    Duracion:
    Un año
    Chip de:
    Hong Kong
    RoHS:
    Método de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co., LTD es un distribuidor de componentes electrónicos que ofrece categorías de productos que incluyen: LPDDR5, GDDR5, LPDDR4, MODULE, GDDR6, DDR4, HBM Aquabolt and SLC Nand ...
    Ventaja competitiva:
    Nos especializamos en componentes electrónicos Samsung Semiconductor K4B2G0846F-BYMA. K4B2G0846F-BYMA puede enviarse dentro de las 24 horas posteriores al pedido. Si tiene alguna demanda para K4B2G0846F-BYMA, envíe una solicitud de cotización aquí o envíenos un correo electrónico:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B2G0846F-BYMA Atributos del producto

    Numero de parte : K4B2G0846F-BYMA
    Fabricante : Samsung Semiconductor
    Descripción : 2 Gb 256M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
    Serie : DDR3
    Densidad : 2 Gb
    Org. : 256M x 8
    Velocidad : 1866 Mbps
    voltaje : 1.35 V
    Temperatura. : 0 ~ 85 °C
    Paquete : 78FBGA
    Estado del producto : Mass Production

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